九州大学大学院
システム情報科学研究院
半導体プロセス共同研究部門
（渡部研究室）
高性能半導体は、5G・IoT・ビッグデータ・AI・自動運転・スマートデバイス等が活用されるデジタル社会にとって必須の技術であり、高性能化の飽くなき追及により、微細化と立体化が進み、製造プロセスの難易度が高くなり続けています。当研究室では、ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング（株）とのコラボレーションにより、先端的な加工が施された半導体ウエーハを使って、微細立体構造へのナノメートルスケールでの薄膜の成膜プロセスメカニズム、及び微細立体構造上における薄膜物性発現メカニズムの解明を行い、先端半導体技術への貢献を目指しています。
ソニーセミコンダクタ
マニュファクチャリング（株）
とのコラボレーションによる
先端加工半導体ウエーハの活用
当研究室所有の
Atomic Layer Deposition
装置による微細立体構造上への
薄膜成膜実験
九州大学所有解析・分析装置を
活用した解析、及び
プロセスメカニズム＆
特性発現メカニズムの解明
メンバー
渡部 浩司 特任教授 学位：博士（工学）
略歴
1989年 3月 九州大学理学部物理学科卒業
1991年 3月 九州大学大学院総合理工学研究科修士課程修了
1991年 4月 ソニー株式会社入社（ソニーグループ（株）、ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）、
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング（株）～2025年4月）
1997年 8月 University of New South Wales 客員研究員(～1998年8月)
2020年 9月 東京工業大学工学院電気電子系専攻博士後期課程修了
2024年10月 九州大学大学院システム情報科学研究院 客員教授
2025年 5月 九州大学大学院システム情報科学研究院 特任教授
小島 仁志 民間等共同研究員（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社）
梅田 竜生 民間等共同研究員（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社）
山中 翔大 研究協力学生M1 （鎌滝研究室）
福島 尚輝 研究協力学生M1 （古閑研究室）
【研究成果発表実績】
■2026.06.21 山中翔大さん(M1)が、日本表面真空学会・九州支部学術講演会にて、
「原子層堆積法による金属酸化物薄膜の成膜プロセスメカニズムと物性発現メカニズムの解明検討」
というタイトルで、口頭発表を行いました。
本講演にて、山中翔大さんが学生講演奨励賞を受賞しました！（2026.07.01）
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